Головна

Покажіть на графіку смугу пропускання контуру.

  1.  Алгоритм 4.3. Деталізація підготовчих робіт у графіку проекту-прикладу
  2.  В RLC-контурі опір 2 Ом, індуктивність 20 мГн, ємність 2 мФ. Визначити добротність контуру.
  3.  Вірте і зрозумійте, що нічого не втрачено. Зберіть ж увагу і сили і покажіть себе гідним того привітності, яке вам надає цей будинок.
  4.  Г) Виведіть рівняння кривої сукупного попиту. Покажіть це на графіку.
  5.  Геометричні перетворення в тривимірній графіці. Матриці перетворення.
  6.  Запишемо в загальному вигляді умова для смуги пропускання і смуги затухання фільтра.
  7.  ЗОБРАЖЕННЯ ОДНОГО ТОРГОВОГО ДНЯ НА ГРАФІЦІ СВІЧОК

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру(Рис. 6.6)приєднаний синусоїдальний джерело з E = 50 В і внутрішнім опором Ri= 50 кОм. Частота настройки контуру f0 = 79,6 кГц, індуктивність котушки L = 1 мГн, опір контуру при резонансі Zвхо= 50 кОм.

Розрахувати ємність контуру С, активний опір контуру R, характеристичний опір ?, добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок контуру, еквівалентну добротність, а також абсолютне і відносне значення смуги пропускання П і S0.

Як зміниться абсолютна смуга пропускання контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази Ri= 100 кОм)?

варіант 5

завдання 6.1

До послідовного коливального контуру (рис.6.5) підводиться синусоїдальну напругу U = 1 В. Частота настройки контуру f0 = 1 МГц, добротність Q = 100, ємність конденсатора С = 100 пФ

Визначити індуктивність L, характеристичний опір ? і активний опір R.

Розрахувати струм I0 витрачається в ланцюзі потужність ?о, Напруги на індуктивності ULO ємності Uco при резонансі, загасання d. Яку вибірковість забезпечить даний контур при розладі на ?f = 10 кГц?

Розрахувати і побудувати залежність Zвх = f (?) при зміні узагальненої розладу ? = 0, ± 1 ± 2 ± 3

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру (рис. 6.6) приєднаний синусоїдальний джерело з Е = 50 В і внутрішнім опором

Ri = 25 кОм. Індуктивність контуру L = 50 мГн, ємність C = 0,2 мкФ, опір R = 10 Ом.

Розрахувати резонансну частоту контуру ?0характеристичний опір р, добротність, опір контуру при резонансі Zвхо еквівалентну добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок контуру. Визначити модуль коефіцієнта передачі по напрузі і напруга на контурі при узагальненої расстройке? = 0, ± 1 ± 2 ± 3

Як зміниться еквівалентна добротність контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази (Ri = 50 кОм)?

варіант 6

завдання 6.1

Електричне коло складається з послідовно з'єднаних резистора R = 20 Ом, котушки індуктивності L = 400 мГн і конденсатора С = 625 пФ (рис.6.5).

Визначити резонансну частоту ?0, Характеристичний опір ?, добротність Q, загасання d. Чому рівні ток I0, Що витрачається в ланцюзі потужність P0, Напруги на індуктивності ULOі емкостіUCOпри резонансі, якщо контур включений на напругу U = IB. Яку вибірковість забезпечить даний контур при розладі на

? = 25 · 103с-1?

Розрахувати і побудувати залежність UС= F (?) при зміні узагальненої розладу ? = 0, ± 1, ± 2, ± 3. Покажіть на графіку смугу пропускання контуру.

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру (рис. 6.6) приєднаний синусоїдальний джерело з E = 100 В і внутрішнім опором

Ri = 25 кОм. Частота настройки контуру f0 = 1,59 МГц, ємність конденсатора С = 100 пФ, опір контуру при резонансі

ZВХ0= 50 кОм.

Розрахувати індуктивність контуру L, активний опір контуру R, характеристичний опір ?, добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок контуру, еквівалентну добротність, а також абсолютне і відносне значення смуги пропускання П і S0 .

Як зміниться абсолютна смуга пропускання контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази (Ri= 120 кОм)?

варіант 7

завдання 6.1

Електричне коло складається з послідовно з'єднаних резистора R = 20 Ом, котушки індуктивності L = 200 мГн і конденсатора С = 200 пФ рис.6.5).

Визначити резонансну частоту ?0, Характеристичний опір ?, добротність Q, загасання d. Чому рівні ток I0, Що витрачається в ланцюзі потужність P0, Напруги на індуктивності ULOі емкостіUCOпри резонансі, якщо контур включений на напругу U = IB. Яку вибірковість забезпечить даний контур при розладі на

? = 50 · 103 с-1?

Розрахувати і побудувати залежність UС= F (?) при зміні узагальненої розладу ? = 0, ± 1, ± 2, ± 3. Покажіть на графіку смугу пропускання контуру.

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру (рис. 6.6) приєднаний синусоїдальний джерело з Е = 50 В і внутрішнім опором Ri = 40 кОм. Індуктивність контуру L = 500 мГн, ємність С = 500 нФ, опір R = 25 Ом.

Розрахувати резонансну частоту контуру ?0 , Характеристичний опір ?, добротність, опір контуру при резонансі Zвхо еквівалентну добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок контуру. Визначити модуль коефіцієнта передачі по напрузі і напруга на контурі при узагальненої розладі ? = ± 1.

Як зміниться еквівалентна добротність контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази (Ri, = 80 кОм)?

варіант 8

завдання 6.1

До послідовного коливального контуру підводиться синусоїдальну напругу U = 1 В. Частота настройки контуру

?? = 103 с-1, Ємність конденсатора С = 5 мкФ, активний опір R = 5 Ом (рис.6.5).

Визначити індуктивність L, характеристичний опір ?, добротність Q. Розрахувати струм I0 , Що витрачається в ланцюзі потужність Р0 , Напруги на індуктивності ULO і ємності Uсо при резонансі, загасання d. Яку вибірковість забезпечить даний контур при розладі

?? = 30 с?

Розрахувати і побудувати залежність ? = f (?) зміні узагальненої розладу ? = 0, ± 1, ± 2, ± 3.

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру (рис. 6.6) приєднаний синусоїдальний джерело з E = 100 В і внутрішнім опором

Ri = 60 кОм. Частота настройки контуру f0= 250 кГц, індуктивність котушки L = 800мкГн, опір контуру при резонансі ZВХ0= 63 кОм.

Розрахувати ємність контуру С, активний опір контуру R, характеристичний опір ?, добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок контуру, еквівалентну добротність, а також абсолютне і відносне значення смуги пропускання П і S0 .

Як зміниться абсолютна смуга пропускання контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази (Ri= 120 кОм)?

варіант 9

завдання 6.1

Електричне коло складається з послідовно з'єднаних резистора R = 20 Ом, котушки індуктивності L = 400 мкГн і конденсатора С = 100 пФ (рис.6.5).

Визначити резонансну частоту ?о, Характеристичний опір ?, добротність Q, загасання d. Чому рівні ток I, що витрачається в ланцюзі потужність Р0, Напруги на індуктивності ULO і ємності Uсо при резонансі, якщо контур включений на напругу U = 1 В. Яку вибірковість забезпечить даний контур при розладі

?? = 70 · 103с-1? Розрахувати і побудувати завісімостьUL= F (?) при зміні узагальненої розладу ? = 0, ± 1, ± 2, ± 3.

Покажіть на графіку смугу пропускання контуру.

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру (рис. 6.6) приєднаний синусоїдальний джерело з Е = 50 В і внутрішнім опором Ri = 12,5 кОм. Індуктивність контуру L = 100 мГн, ємність С = 400 нФ, опір R = 20 Ом.

Розрахувати резонансну частоту контуру ?0 , Характеристичний опір ?, добротність, опір контуру при резонансі Zвхо еквівалентну добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок контуру. Визначити модуль коефіцієнта передачі по напрузі і напруга на контурі при узагальненої розладі ? = ± 1.

Як зміниться еквівалентна добротність контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази (Ri, = 25 кОм)?

варіант 10

завдання 6.1

До послідовного коливального контуру підводиться синусоїдальну напругу U = 1 В. Частота настройки контуру ?0= 104 с-1, Ємність конденсатора 0,2 мкФ, активний опір R = 10 Ом (рис.6.5).

Визначити індуктивність L, характеристичний опір ?, добротність Q. Розрахувати струм I0 , Що витрачається потужність в ланцюзі Ро, напруги на індуктивності ULO і ємності Ucoпри резонансі, загасання d. Яку вибірковість забезпечить даний контур при розладі

?? = 200 з-I

Розрахувати і побудувати залежність Zвх= F (?) при зміні узагальненої расстройкі? = 0, ± 1, ± 2, ± 3.

завдання 6.2

До паралельного коливального контуру (рис. 6.6) приєднаний синусоїдальний джерело РЄ = 100 В і внутрішнім опором Ri = 50 кОм. Частота настройки контуру fQ= 400 кГц, ємність конденсатора С = 400 пФ, опір контуру при резонансі Zвхо = 40 кОм.

Розрахувати індуктивність контуру L, активний опір контуру R, характеристичний опір ?, добротність, вхідний струм і струми паралельних гілок, еквівалентну добротність, а також абсолютне і відносне значення смуги пропускання П і S0

Як зміниться абсолютна смуга пропускання контуру, якщо внутрішній опір джерела збільшити в 2 рази (R'i. = 100 кОм)?

КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ

1. Що називається вільними коливаннями?

2. Що називається вимушеними коливаннями?

3. Чому контур з L і С називається коливальним?

4. Від чого залежить частота вільних коливань контуру?

5. Перерахуйте основні параметри коливального контуру.

6. Добротність навантаженого контура.

7. Види расстроек, їх позначення і вираження.

8. Що називається вибірковістю контура, як вона залежить від добротності? Вибірковість на межах смуги пропускання.

9. Вплив внутрішніх опорів джерела на виборчі властивості паралельного контуру.

10. Як зміниться добротність контуру при резонансі напруг, якщо паралельно з наявним конденсатору підключити ще один такий же конденсатор і паралельно котушці індуктивності підключити таку ж котушку?

11. Чи зміниться частота вільних коливань контуру за умови попереднього питання?

Список літератури

Основні джерела:

Лоторейчук, Е. Теоретичні основи електротехніки: уч. сел. для СПО._ М .: Форум 2009

Лоторейчук, Е. Розрахунок електричних і магнітних кіл і полів: рішення задач: уч. сел. для СПО._ М .: Форум, 2011

Додаткові джерела:

Гоноровський, І. С. Радіотехнічні ланцюги і сигнали: навчальний посібник для вузів.- М: Дрофа, 2006. - 719 с.

ІНФОРМАЦІЙНИЙ РЕСУРС

 освітні сайти  1. Інтернет-колоквіум з електротехнікеРежім доступу: http: //electro.hotmail.ru2. Методичні вказівки до виконання розрахунково-графічного завдання з електротехніки, ОГУРежім доступу: http: //window.edu.ru3. Електроніка: збірник лабораторних робіт, УлГТУРежім доступу: http://window.edu.ru
 портали  1. Електронні навчальні матеріали з електротехніки, МАНіГРежім доступу: http: //www.shat.ru2. Навчальні матеріали кафедри «Теоретичні основи електротехніки», МІРЕАРежім доступу: http://www.toe.fvms.mirea.ru

Збірник методичних рекомендацій з практичних занять

для спеціальностей:

210709 Багатоканальні телекомунікаційні системи

210721Радіосвязь, радіомовлення і телебачення

Частина 2

 



 ХІД РОБОТИ |  Частина 1

 ТЕОРІЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ КІЛ |  Затверджено на засіданні ЦК електрозв'язку |  ТЕОРЕТИЧНИЙ МАТЕРІАЛ |  ХІД РОБОТИ |  ТЕОРЕТИЧНИЙ МАТЕРІАЛ |  ХІД РОБОТИ |  ТЕОРЕТИЧНИЙ МАТЕРІАЛ |

© um.co.ua - учбові матеріали та реферати