На головну

Статичні вольт-амперні характеристики транзистора

  1.  H-параметри транзистора
  2.  II. БІОЛОГО - ЕКОЛОГІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОКРЕМИХ
  3.  II. Основні характеристики на місленето като процес на форміране на поняття.
  4.  II. Основні характеристики на представни образи.
  5.  IV. ПОЛІТИЧНЕ ЖИТТЯ. ЇЇ ОСНОВНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ .................. 29
  6.  V. Вторинні характеристики.
  7.  А. Характеристики міцності

Вид характеристик залежить від схеми включення транзистора. Розрізняють три схеми включення із загальною базою (ПРО), із загальним емітером (ОЕ), загальним колектором (ОК) (рисунок 2.3).

Малюнок 2.3 - Схеми включення транзисторів:

із загальною базою (а), із загальним емітером (b), загальним колектором (с)

Зверніть увагу, що загальний електрод в індексі позначення напруги завжди стоїть другим.

Найбільшого поширення набула схема із загальним емітером, так як тільки таке включення забезпечує значний коефіцієнт підсилення і по току, і за напругою. Зупинимося на аналізі цієї схеми включення (рисунок 2.4).

Малюнок 2.4 - Схема включення із загальним емітером

Зазвичай розглядають два види характеристик: вхідний і вихідний. Вхідна характеристика- це залежність вхідного струму  від вхідної напруги  при постійному вихідному напрузі  має вигляд, показаний на малюнку 2.5.

Малюнок 2.5 - Вхідні характеристика транзистора,

включеного за схемою з ОЕ

при  вхідна характеристика відповідає прямій ділянці вольт-амперної характеристики двох  - Переходів, включених паралельно.

Струм бази при цьому дорівнює сумі струмів, що проходять через емітер і колектор, причому останній працює в режимі емітера.

Якщо на колектор подати негативне напруга  , То колекторний перехід виявиться під зворотною напругою, струм бази становитиме лише малу частину струму емітера. Це пояснюється двома причинами:

· Відбувається перерозподіл струмів між базою і колектором, струм колектора збільшується, а струм бази зменшується;

· Модуляція базової області - це зменшення ширини бази при додатку до колектора зворотної напруги, ймовірність рекомбінації зменшується, що і призводить до зменшення базового струму.

збільшення  за абсолютною величиною приводить до зрушення характеристики вправо. Це особливо помітно при щодо малих напругах, при зростанні напруги характеристики практично зливаються в одну.

У струмі  присутній складова  , Тому при  струм  , А струм .

Вихідна характеристика - це залежність вихідного струму  від вихідної напруги  при постійному вхідному струмі

має вигляд, показаний на малюнку 2.6.

Малюнок 2.6 -. Вихідна характеристика транзистора, включеного за схемою з ОЕ

Розглянувши одну з статичних характеристик, наприклад, при  , Виділимо на ній три ділянки: 1 - має сильну залежність струму  від напруги  ; 2 - пологий ділянку, що має відносно слабку залежність; 3 - різке зростання струму.

На 1-ій дільниці при  напруга на колекторному переході одно  , Колекторний перехід відкритий і інжектується дірки в базу. Потоки дірок через колекторний перехід (від емітера в колектор і від колектора в базу) взаємно врівноважуються, і струм  . У міру підвищення напруги  пряме напруга на колекторному переході знижується, його інжекція зменшується і струм  росте.

На 2-ій дільниці на колекторний перехід діє зворотна напруга, в цьому випадку справедливі вирази

 , (2.5)

 . (2.6)

виключивши  , отримаємо

 (2.7)

або

 , (2.9)

де  - Коефіцієнт передачі по току при схемі з ОЕ;

 - Початковий або наскрізний струм колектора.

Колекторні характеристики мають деякий нахил до осі абсцис, викликаний ефектом модуляції базової області.

На 3-ій дільниці спостерігається пробій колекторного переходу, який може перейти в тепловий. напруга  не повинно перевищувати допустиме значення, вказане в довідниках.

Аналізуючи вид вихідних характеристик, враховуючи, що реальні характеристики проходять майже паралельно осі напруги, можна зробити висновок, що транзистор еквівалентний джерела струму, керованого струмом.

 




 лекція 2 |  Еквівалентні схеми транзистора |  Частотні властивості транзистора |  Аналітичний розрахунок підсилювача при схемі включення з ОЕ |  Підсилювач на біполярному транзисторі з ємнісний зв'язком |

© um.co.ua - учбові матеріали та реферати