На головну

Анатомия и морфология растений

  1. C) Эволюция полового процесса у растений
  2. А. Результаты внедрения глобальной стратегии сохранения растений
  3. Адаптации наземных растений и животных к водному режиму.
  4. Анатомическое строение листовой пластинки у двудомных растений. Влияние внешних условий на формирование анатомической структуры листа.
  5. Анатомическое строение многолетних стеблей древесных растений.
  6. Анатомия аргументации
  7. Анатомия диалога

,

, (10.6)

або αнІЕБ нх = αіІКБ нх

Розв'язавши рівняння 10.5 та 10.6 , отримуємо формули Молла- Еберса для вольт-амперних характеристик транзистора

ІЕ = ІЕБ кз ( - 1) - αнIКБ кз ( - 1)

ІК = αаІЕБ кз ( - 1) - IКБ кз ( - 1) (10.7)

ІБ = ІЕ- ІК

Враховуючи співвідношення 10.6, запишемо:

ІЕ = ( - 1) - αіIКБ кз ( - 1) (10.8)

ІК = ( - 1) - IКБ кз ( - 1)

В спрощеному варіанті, якщо aі = aн , ІЕБ нх = IКБ нх = І0 рівняння вхідної ВАХ будуть

ІЕ = І0 {( - 1) - αі ( - 1)},

а вихідної ВАХ

ІК = І0 {aі( - 1) - ( - 1)}

Тоді із рівнянь (10.8) можна записати формулу вхідної ВАХ ідеалізованого транзистора (αн = α)

(10.9)

а також його вихідної ВАХ

Графіки вхідної ВАХ креслять за формулою ІЕ = f (UЕБ) при UКБ = const, а вихідної ВАХ ІК = f (UКБ) при UЕБ = const.

10.4 Види пробоїв БТ

Пробої в біполярних транзисторах виникають при перевищенні їх максимально допустимих параметрів. Основними максимально допустимими параметрами транзистора є:

- максимально допустима потужність розсіяння колектором PКмакс;

- максимально допустимі струми ІК макс, ІЕ макс, ІБ макс;

- максимально допустимі міжелектродні напруги UКЕ макс, UКБ макс, UБЕмакс.

Відмітимо межі допустимих режимів на сімействі вихідних характеристик(рис. 10.9.)

Рис. 10.9. Область допустимих режимів

Допустима межа за струмом визначається горизонтальною лінією ІКмакс=const, за напругою - вертикальною UК макс = const. Знизу область обмежена характеристикою зворотного струму колектора ІКБо. Межа, що визначається максимально допустимою потужністю розсіювання на колекторі, відображається кривою допустимого струму

.

Максимальна потужність у транзисторі виділяється на колекторному переході, оскільки його опір найбільший, а отже, він гріється більше, ніж інші області.

Максимально допустима потужність розсіювання на колекторі визначається появою теплового пробою колекторного переходу. Він виникає, коли порушується тепловий баланс: приріст потужності, що підводиться до колекторного переходу, не компенсується відповідним приростом потужності, що відводиться. При цьому зростає температура переходу та струм колектора. Виникає лавиноподібний процес, що призводить до перегріву транзистора й виходу його з ладу (різко збільшується струм ІК).

Напруга, що не призводить до теплового пробою переходу, оцінюється співвідношенням

.

Вона тим менша, чим більший зворотній струм колекторного переходу і тепловий опір , а також вища температура середовища .

Із міркувань надійності роботи не варто використовувати струми, напруги та потужності вище 70 % від їх максимальних значень.

При поганому тепловідводі й високій температурі середовища напруга теплового пробою може стати нижче робочої, і транзистор проб'ється. Значення напруги пробою зменшується і при непідключенні одного з електродів транзистора. Особливо небезпечно непідключення (розрив) бази ( , ). У цьому випадку напруга пробою буде мінімальною.

У транзисторах можливий пробій, що обумовлений змиканням колекторного та емітерного переходів (рис 10.11). Це відбувається при збільшенні зворотної напруги колектора. При цьому колекторний перехід розширюється в бік емітера, оскільки концентрація домішок у базі значно менша, ніж у колекторі. При певній напрузі на колекторі, колекторний перехід займає всю область бази та змикається з емітерним переходом. Транзистор припиняє роботу.

Рис. 10.11. Пробій бази між колектором та емітером

Перевищення допустимого значення колекторного (або емітерного) струму призводить до зниження коефіцієнта передавання транзистора та втрати його працездатності. Це випливає з графіків, зображених на рис. 10.12 та рис. 10.13

Рис. 10.12. Залежність a = f (IЕ)

Із зростанням струму IЕ коефіцієнт a зростає, оскільки зростає внутрішнє поле бази, і збільшується кількість носіїв у базі.

Однак, при деякому значенні IЕ знижується коефіцієнт інжекції та зростають втрати на рекомбінацію. Це призводить до зменшення a.

Залежність коефіцієнта передавання струму бази b від струму IЕ більша сильна (рис. 10.13).

Рис. 10.13. Залежність b = f (IЕ)

Із зростанням струму IЕ коефіцієнт b спочатку підвищується внаслідок збільшення напруженості внутрішнього поля бази, і збільшується кількість дірок в базі. При значному струму IЕ коефіцієнт b починає спадати завдяки зниження коефіцієнта інжекції, зменшення ефективної площі емітера в області бази.

Коефіцієнт b при зміні струму IЕ змінюється більше, ніж коефіцієнт a , оскільки b >>a, що підтверджується формулою

.

Контрольні запитання:

1. Перечислити групи параметрів.

2. Фізичний зміст диференціальних Y-параметрів БТ.

3. Фізичний зміст диференціальних H-параметрів БТ.

4. Як визначаються H-параметри БТ за статичними параметрами ВАХ?

5. Схеми заміщення БТ в Y- та H-параметрах БТ.

6. Схема заміщення БТ на низьких частотах.

7. Фізична модель БТ.

8. Область допустимих режимів БТ.

9. Типи пробоїв в БТ.

10. Залежність α та β від IE.

Анатомия и морфология растений



1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   Наступна

Тема: Типы меристем. | Лекция №3 | Тема: Морфология и анатомия стебля. | Тема: Морфология и анатомия листа. | Тема Размножение высших растений | Вегетативное размножение | Бесполое размножение | B) Формирование спор | C) Эволюция полового процесса у растений | Введение в систематику. |

© um.co.ua - учбові матеріали та реферати