Головна

Власна провідність напівпровідників

  1. В основі роботи сучасних напівпровідникових приладів лежать явища, що відбуваються в області електричного контакту провідників і напівпровідників із різною провідністю.
  2. Домішкова провідність напівпровідників
  3. Електричний струм у напівпровідниках. Власна та домішкова провідності напівпровідників. Власна провідність напівпровідників

Напівпровідниками є тверді тіла, які при Т=0 характеризуються повністю зайнятою електронами валентною зоною, відокремленою від зони провідності порівняно вузькою забороненою зоною.

У природі напівпровідники існують у вигляді хімічних елементів (елементи , , груп), наприклад, , , , , , i хімічних сполук, (оксиди, сульфіди, селеніди, сплави елементів різних груп).

Розрізняють власні і домішкові напівпровідники. Власними напівпровідниками є хімічно чисті напівпровідники, їх провідність називається власною провідністю.

На рис. 358 наведена спрощена схема структури власного напівпровідника. При абсолютному нулі його валентна зона укомплектована повністю, зона провідності, яка розміщена над валентною зоною на відстані , є незаповненою.

Отже, при T=0 і за відсутності інших зовнішніх факторів власні напівпро відники ведуть себе як діелектрики. При підвищенні температури електрони з верхніх рівнів валентної зони можуть переходити на нижні рівні зони провідності (рис. 359). При накладанні на кристал електричного поля вони переміщаються проти поля і створюють електричний струм. Таким чином, така зона внаслідок часткового укомплектування електронами, стає зоною провідності.

Провідність власних напівпровідників, зумовлена електронами, називається електронною провідністю або провідністю n-типу.

Внаслідок теплових переходів електронів із валентної зони в зону провідності у валентній зоні виникають вакантні стани, які називаються дірками. У зовнішньому електричному полі на місце, яке звільнилось від електрона, - дірку - може переміститися електрон із сусіднього рівня, а дірка появиться в тому місці, яке звільнив електрон і т.д. Такий процес рівнозначний переміщенню дірки в напрямку, протилежному до руху електрона, так, як би дірка мала позитивний заряд, який дорівнює за величиною заряду електрона.

Провідність власних напівпровідників, зумовлена дірками, називається дірковою провідністю або провідністю р-типу.

Отже, у власних напівпровідниках спостерігаються два механізми провідності - електронна і діркова. Число електронів в зоні провідності дорівнює числу дірок у валентній зоні, тобто .

У напівпровідниках поряд з процесом генерації електронів і дірок відбувається і процес рекомбінації: електрони переходять із зони провідності у валентну зону, віддаючи енергію ґратці і випускаючи кванти електромагнітного випромінювання. В результаті для кожної температури встановлюється певна рівноважна концентрація електронів і дірок.



  7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   Наступна

І. Електростатичне поле у вакуумі нескінченної зарядженої площини. | ІІІ. Електростатичне поле зарядженої сфери | ІV. Електростатичне поле зарядженої кулі. | V. Електростатичне поле нескінченно довгого рівномірно зарядженого циліндра. | Паралельне з'єднання конденсаторів. | Послідовне з'єднання конденсаторів. | І. Неполярні діелектрики. Електронна поляризація. | II. Полярні діелектрики. Дипольна, або орієнтаційна поляризація. | III. Іонні діелектрики. Іонна поляризація. | Енергетичні зони в кристалах |

© um.co.ua - учбові матеріали та реферати