Головна |
Керований дільник на транзисторах. Дільник напруги (рис. 2.42) побудований на двох транзисторах, у яких використовуються опору переходу емітер - база. Ці опору змінюються в залежності від протікає через них струму. Залежність ослаблення вихідного сигналу від керуючого струму показана на рис. 2.42, б. При керуючих токах близько 1 мкА ослаблення сигналу може досягати 103 раз.
Мал. 2.42
Мал. 2.43
Каскодних включення польового і біполярного транзисторів. Наведені на рис. 2.43 схеми включення мають великий вхідний опір. Коефіцієнт пер.едачі визначається структурною схемою. Він залежить від h21Э - h21Б (1 - h21Б) - Коефіцієнта передачі біполярного транзистора і від s - крутизни польового транзистора. На рис. 2.43, а пристрій має коефіцієнт передачі
МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К544 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К574УД1 | еКВІВАЛЕНТИ радіоелемент | резисторного МОСТИ | потенціометр | атенюатори | еКВІВАЛЕНТИ КОНДЕНСАТОРІВ | ЕКВІВАЛЕНТИ ДІОДІВ І ТРАНЗИСТОРОВ | ПАРАМЕТРИ КОНТУРУ | ПЕРЕТВОРЮВАЧІ СОПРОТИВЛЕНИЙ |