Головна

ЕКВІВАЛЕНТИ ДІОДІВ І ТРАНЗИСТОРОВ

  1. I. Моль. Еквівалентні маси і еквіваленти простих і складних речовин. закон еквівалентів
  2. V. Знайдіть в тексті еквіваленти до наступним термінам
  3. В. Натуральний обмін. еквіваленти
  4. Другий період (1955 р.-початок 60-х). Комп'ютери на основі транзисторів. Пакетні операційні системи
  5. Дайте англійські еквіваленти наступним словосполученням.
  6. Дайте англійські еквіваленти наступним іменником.
  7. Дайте російські еквіваленти такими словами і словосполученнями.

Ідеальний діод.Напівпровідникові діоди не придатні для випрямлення малих сигналів. Це обумовлено тим, що для появи провідності кремнієвим диодам потрібна напруга прямого зміщення близько 0,7 В, а германієвих - близько 0,3 В. Якщо діод включити на виході ОУ, то порогові напруги діодів будуть зменшені в Kу.і раз, де Kу-u - Коефіцієнт посилення інтегральної мікросхеми. В результаті цього діод починає проводити при вхідних сигналах в кілька мілівольт.

Перша схема на рис. 2.22 має коефіцієнт посилення, що дорівнює одиниці. У другій схемі коефіцієнт посилення можна змінювати при зміні опорів резисторів Kу.і = 1 + R2/ R1.

Керований ідеальний діод.Для настройки схеми на вхід ОУ слід подати напругу зміщення ± 304-50 мВ. Цей зсув необхідно для вирівнювання разбросов падіння напруги на діодах. У збалансованої схемою при негативної полярності вхідної напруги на виході залишається нуль. При вхідній напрузі 10 В на виході буде приблизно 1 мВ. Для позитивного вхідного напруги схема працює як діод в прямому напрямку. Коефіцієнт посилення схеми дорівнює Rd (Ri + R2). Вихідний струм схеми визначається опором резистора R1. Для збільшення вихідного струму необхідно поставити два транзистора. транзистор VT1 (Рис. 2.23) розвантажує інтегральну мікросхему від великого струму при негативної полярності вхідного сигналу. Позитивна полярність вхідного сигналу проходить через транзистор VT2. Він же визначає вихідний струм. У транзисторної схемою коефіцієнт посилення дорівнює 0,99. Для зменшення шумового сигналу на виході паралельно діоду VD1 слід включити конденсатор, що зменшує граничну частоту роботи схеми. Без конденсатора гранична частота дорівнює 200 кГц.

Мал. 2.22

Мал. 2.23

Мал. 2.24

Стабілізація характеристик транзисторів. Застосування ООС для транзисторів, у яких вихідні характеристики сильно змінюють свою форму зі збільшенням базового струму, дозволяє значно поліпшити ці характеристики. Схема пристрою наведена на рис. 2.24, а. На рис. 2.24,5 наведено характеристики транзистора без ОС, а на рис. 2.24, в - з урахуванням елементів ОС. В результаті цього коефіцієнт передачі транзистора змінився з 60 на 10 при коллекторном напрузі 20 В. На рис. 2.24, г наведено характеристики зі зменшеним емітерним опором. Коефіцієнт передачі транзистора в цьому випадку дорівнює 20.




МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К140 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К153 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ K154 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К157 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К544 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К574УД1 | еКВІВАЛЕНТИ радіоелемент | резисторного МОСТИ | потенціометр | атенюатори |

© 2016-2022  um.co.ua - учбові матеріали та реферати