Головна

атенюатори

Високочастотний атенюатор. Хвильовий опір аттенюатора 75 Ом. Он-побудований на резисторной матриці (рис. 2.14), яка має постійне вихідний опір незалежно від положення перемикача. Атенюатор розрахований на максимальне ослаблення сигналу 50 дБ. Максимальне загасання можна збільшити, підключаючи аналогічні ланки.

Мал. 2.14

Мал. 2.15

Комбінований атенюатор.Коефіцієнти передачі аттенюаторов визначаються виразами: для схеми (рис. 2.15, а) Uвиx/ Uвx= RZ/ (R1+ RZ) (Передавальні характеристики показані на рис. 2.15, в - криві 1, 2, 3); для схеми (рис. 2.15, б) UВьіД / вх =R1/ (R1 + R2),де

(Передавальні характеристики показані на рис. 2.15, в - криві 4, 5,6).

Залежно від опорів резисторів для коефіцієнта передачі можна отримати будь-який закон зміни. Для випадку, коли R2= R4 = 5 кОм і R1 = Rз = 10 кОм на графіку рис. 2.15, в наведені суцільні криві, а для R2 = Rч = 0, R | = 1 кОм, Я3= 40 кОм - пунктирна крива.

Керований атенюатор. Схема аттенюатора (рис. 2.16) побудована на резисторного делителе напруги, виходи якого підключені до аналогового перемикача на МОП-транзисторах. Управління інтегральної мікросхемою здійснюється сигналами на-напругою мінус 15 В. Амплітуда вхідного сигналу до 10 В. Атенюатор дискретно, з кроком 20 дБ, послаблює сигнал на виході. На рис. 2.16,6 наведено криві -Зміни фазового кута вихідні го сигналу від частоти. Ці зміни пов'язані з впливом прохідних ємностей польових транзисторів інтегральної мікросхеми. Максимальний внесок у зміну фази вихідного сигналу надають перші два ключа. Крива 1 характеризує вихідний сигнал при ослабленні 20 дБ, крива 2 - при ослабленні 40 дБ, крива 5 - 60 дБ, крива 4 - 80 дБ. Якщо дільник побудувати на резисторах з опорами R1 - R4 = l, 2 кОм; R5 - R8 = 10 кОм, то фазовий зсув буде значно зменшений. Крива 5 характеризує вихідний сигнал при ослабленні 60 дБ для другого варіанту атенюатора.

Мал. 2.16

Мал. 2.17

Кероване лінійний опір. Опір польового транзистора лінійно залежить від керуючої напруги. Як видно з характеристики, існують два лінійних ділянки: при Uупр 1 В і Uупр<0,4 В. У першому випадку опір змінюється від 18 до 37 кОм, а в другому - від 1 до 300 Ом. . Лінійність зміни опору забезпечується ідентичністю характеристик польових транзисторів, які знаходяться в інтегральній мікросхемі К504НТ4Б. Управління другим польовим транзистором здійснюється за допомогою зміни режиму роботи першого транзистора, який включений в ланцюг ООС (рис. 2.17). ,

Кероване опір для змінного струму. Схема (рис. 2.18) дозволяє отримати зміна провідності транзисторів на 100 дБ, при цьому струм в керуючої ланцюга змінюється від 0 до 1 мА. Керуюча напруга включається таким чином, щоб відкрити транзистори. опір n-р переходу при малих зсувах змінюється в широких межах. Вхідний сигнал проходить через чотири n-р переходу.

Мал. 2.18

Для германієвих транзисторів керуючий струм повинен лежати в діапазоні від 10 мкА до 10 мА. Опір змінюється за формулою R = 1,1 / h21Э I, де h21Э - Коефіцієнт передачі транзистора. У кремнієвих транзисторів керуючий струм дорівнює від 1 мкА до 1 мА, а опір змінюється за формулою R - 2,5 / h21ЕI. Вхідний опір при Iу= 0 для германієвих транзисторів складає 4,7 кОм, для кремнієвих транзисторів - 2,3 кОм. Коли надходить сигнал 50 мВ нелінійні спотворення складають менше 3,5%. У схемі транзистори VT1 и VT2 можна замінити інтегральної мікросхемою К10КТ1, а транзистори VT3 и VT4 - інтегральної мікросхемою К124КТ1 (К162КТ1).




РАДІОЕЛЕКТРОННІ ПРИСТРОЇ (ДОВІДНИК) | МІКРОСХЕМИ І СХЕМИ ЇХ ВКЛЮЧЕННЯ | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К140 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К153 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ K154 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К157 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К544 | МІКРОСХЕМИ СЕРІЇ К574УД1 | еКВІВАЛЕНТИ радіоелемент | резисторного МОСТИ |

© 2016-2022  um.co.ua - учбові матеріали та реферати