Головна

тестові завдання

  1. I. Завдання для самостійної роботи
  2. II. Практичні завдання для контрольної роботи
  3. III. Програма і тестові приклади
  4. III. ЗАВДАННЯ ДЛЯ КОНТРОЛЬНОЇ РОБОТИ
  5. IV. ЗАВДАННЯ ДЛЯ САМОСТІЙНОЇ РОБОТИ

9.1. Теплоємність твердого тіла залежить від температури в області високих температур ...

1) ~ Т -1 2) не залежить і дорівнює 3R 3) ~ Т 3 4) ~  5) ~ Т

9.2. Теплоємність твердого тіла залежить від температури в області низьких температур ...

1) ~ Т 3

2) ~ Т -1

3) не залежить і дорівнює 3R

4) не залежить і дорівнює 3/2 R

5) ~ Т

9.3. Рівень Фермі у власному напівпровіднику розташовується ...

1) посередині забороненої зони

2) у стелі валентної зони

3) у дна зони провідності

4) посередині валентної зони

9.4. Фізичний сенс енергії Фермі полягає в одному з наступних тверджень ...

1) мінімальна енергія електрона провідності в металі при 0 К

2) максимальна енергія електрона провідності в металі при 0 К

3) енергія, яка визначає дно зони провідності

4) енергія, яка визначає стелю валентної зони

 II
 III
I
?E = 1 еВ
9.5. На малюнку приведено Зонне будова кристала при 0 К, який є ...

1) полупроводником

2) діелектриком

3) провідником

4) однозначної відповіді немає

9.6. Тверді тіла є провідниками, якщо ...

1) валентна зона заповнена електронами повністю

2) в валентної зоні є вільні енергетичні рівні

3) зона провідності заповнена повністю

4) в зоні провідності є вільні енергетичні рівні

9.7. Якщо валентна зона заповнена електронами, але при цьому перекривається із зоною провідності, то тверде тіло є ...

1) діелектриком

2) провідником

3) полупроводником

4) провідником і напівпровідником одночасно

9.8. Напівпровідниками називаються кристали, у яких при 0 К ...

1) перекриті валентна зона і зона провідності

2) заповнена зона провідності

3) немає забороненої зони

4) заповнена валентна зона

5) зона провідності заповнена частково

9.9. Основними носіями струму в хімічно чистих напівпровідниках є ...

1) тільки електрони

2) тільки дірки

3) електрони та іони акцепторних атомів

4) дірки і електрони

5) дірки і іони акцепторних атомів

9.10. З наведених нижче положень правильними для власних напівпровідників є ...

А) дірки виникають при захопленні електронів атомами акцепторної домішок

Б) рівень Фермі розташований посередині забороненої зони

В) валентна зона заповнена електронами в повному обсязі

Г) опір напівпровідників зменшується з підвищенням температури

1) А, Б 2) Б, В 3) У, Г 4) Б, Г 5) А, Г

9.11. Донорні домішкові рівні розташовуються ...

1) в середині забороненої зони

2) у стелі валентної зони

3) у дна зони провідності

4) між рівнем Фермі і стелею валентної зони

5) між рівнем Фермі і дном зони провідності

9.12. З точки зору зонної теорії негативні носії струму в напівпровідниках n- типу утворюються в результаті переходу електронів ...

А) з валентної зони в зону провідності

Б) з донорного рівня в зону провідності

В) між рівнями валентної зони

Г) з валентної зони на донорний рівень

1) А, Б 2) Б, В 3) У, Г 4) Б, Г 5) А, Г

9.13. Подвійний електричний шар на кордоні р-n- Переходу утворюють ...

1) дірки і електрони

2) негативні іони акцепторного атома і позитивні іони донорного атома

3) негативні іони донорного атома і позитивні іони і акцепторного атома

4) дірки і негативні іони донорного атома

5) електрони і позитивні іони і акцепторного атома

9.14. Позитивний електричний шар на кордоні p-n- Переходу утворюється ...

1) позитрона

2) позитивними іонами акцепторної домішки

3) протонами

4) позитивними іонами донорної домішки

5) дірками

9.15. Негативний електричний шар на кордоні p-n- Переходу утворюється ...

1) електронами

2) дірками

3) негативними іонами донорних атомів

4) негативними іонами акцепторних атомів

9.16. одностороння провідність р-n- Переходу пояснюється ...

1) дифузією носіїв струму

2) залежністю опору р-n- Переходу від напрямку зовнішнього електричного поля

3) перевищенням концентрації основних носіїв струму над неосновними

4) рекомбинацией носіїв струму

9.17. Слабкий струм через напівпровідниковий діод при замикаючому напрузі обумовлений ...

1) збільшенням товщини контактного шару, збідненого основними носіями струму

2) перешкодою зовнішнього електричного поля руху основних носіїв струму через p-n- перехід

3) зменшення опору p-n- переходу

4) прискоренням зовнішнім електричним полем руху неосновних носіїв струму через p-n- перехід

9.18. Тверді тіла не проводять електричний струм при 0 К, якщо ...

1) в забороненій зоні немає домішкових рівнів

2) в валентної зоні є вільні енергетичні рівні

3) зона провідності заповнена електронами цілком

4) валентна зона заповнена електронами цілком




тестові завдання | індивідуальні завдання

індивідуальні завдання | тестові завдання | тестові завдання | тестові завдання | тестові завдання | тестові завдання | тестові завдання | співвідношення невизначеностей | тестові завдання | рентгенівське випромінювання |

© um.co.ua - учбові матеріали та реферати