На головну

Параметри біполярних транзисторів

  1. Візуальні ергономічні параметри ВДТ і межі їх вимірювань
  2. Питання 3 Розподіл ознаки. параметри розподілу
  3. Питання. Акумулятори пневматичні і гідравлічні, їх класифікація, принцип дії, різновиди, основні розрахункові параметри. Акумуляторні приводи.
  4. Геометричні і кінематичні параметри ланцюгової передачі
  5. Геометричні параметри закритих передач.
  6. Геометричні параметри і способи виготовлення ПП.
  7. Геометричні параметри косозубих циліндричних коліс

Всі розглянуті вище міркування стосувалися роботи транзистора при постійних напругах і токах його електродів. При роботі транзистора в підсилюючих схемах важливу роль відіграють змінні сигнали з малими амплітудами. Властивості транзистора в цьому випадку визначаються так званими мало сигнальними параметрами.

На практиці найбільше застосування отримали h-параметри. Літера h є першою буквою латинського слова hybryd, що означає змішаний. Тому h-параметри називають також гібридними, або змішаними. Таку назву ці параметри отримали внаслідок того, що одні з них мають розмірність провідності, інші - опору, а треті взагалі безрозмірні. Крім h-параметрів використовуються також y-параметри і z-параметри. Усе у-параметри мають розмірність провідності, а все z-параметри - розмірність опорів. Однак їх вимір пов'язане зі значними практичними труднощами, в той час як h-параметри вимірюються порівняно легко.

всього h-параметрів чотири: h11, h12, h21, h22. Їх значення залежать від схеми включення транзистора та режиму його роботи (т. Е. Від вибору робочої точки). Вимірювання і розрахунок h-параметрів здійснюють на підставі наступних формул:

- вихідний опір, вимірюється в Омаха (Ом);

A U

- коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі, безрозмірна величина;

- Коефіцієнт прямої передачі по току, безрозмірна величина;

- Вихідна провідність, вимірюється в Сіменса (См).

Усе h-параметри можна визначити по статичним характеристикам. При цьому параметри h11 и h12 визначаються за вхідними, а параметри h21 и h22 - По вихідних характеристиках. Для вказівки схеми включення до цифрових індексах h-параметрів додаються літерні: б - якщо транзистор включений за схемою ПРО; е - якщо транзистор включений за схемою ОЕ. Збільшення струмів і напруг для заданої робочої точки А повинні враховувати конкретну схему включення БТ.

Для точки А, зазначеної на родинах вхідних (рис. 38, а) і вихідних (мал.38, 6)

Мал. 38. визначення статичних h-параметрів БТ по статичним характеристикам

характеристик БТ, включений ного за схемою ОЕ, розрахункові формули для визначення h-параметрів візьмуть вигляд:

Аналогічним чином визначаються h-параметри для схеми ПРО.

При визначенні параметрів h12и h21 необхідно струми і напруги підставляти в формули в однакових одиницях виміру.

параметр h216 називають коефіцієнтом передачі струму в схемі ПРО, а параметр h21з - Коефіцієнтом передачі струму в схемі ОЕ. На відміну від статичних коефіцієнтів передачі h21Б и h21Eвизначених як відносини вихідного струму до вхідного в схемах ПРО і ОЕ, параметри h21Б и h21Евизначаються як відносини змін вихідних струмів до викликав їх змін вхідних струмів. Іншими словами, параметри h216 и h2характеризують підсилювальні властивості транзистора по току для змінних сигналів.

Частотні властивості біполярних транзисторів

Параметри транзистора залежать не тільки від режиму роботи, а й від частоти підсилюються сигналів. Так, зі збільшенням частоти коефіцієнт передачі струму бази h2зменшується за абсолютним значенням або по модулю. модуль коефіцієнта h2позначають у вигляді | h2|. Частота, на якій | h2, | зменшується в v2 рази в порівнянні з його значенням на низькій частоті, називається граничною частотою передачі струму бази і позначається fh21Е. Частота, на якій | h2| зменшується до 1, називається граничної і позначається fгр, (Або fг). частоти fh21Е и fгр пов'язані між собою співвідношенням fгр = fh21Е| h2|.

При роботі транзистора на частотах, що перевищують fh21Е підсилювальні властивості транзистора зменшуються аж до частоти fгр. На частотах, що перевищують fгр, Транзистор взагалі перестає посилювати. Тому знання частот fh21Е або fгр дозволяє судити про можливості роботи транзистора в заданому діапазоні частот.

У довідниках по напівпровідникових приладів для транзисторів зазвичай вказуються модуль коефіцієнта передачі струму бази | h2| і частота f, на якій визначено його значення. За цими даними легко визначити граничну частоту: fгр =f| h2|. Наприклад, для транзистора типу ГТ320Б h2 = 6 на частоті f= 20 МГц. Отже, гранична частота цього транзистора fгр = 20-6 = 120 МГц.

ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ (ПТ)

падевий транзистор (ПТ) - це напівпровідниковий прилад, підсилювальні властивості якого обумовлені рухом основних носіїв заряду одного знака через провідний канал і який управляється електричним полем, створюваним вхідною напругою.

Керуючий електрод ПТ називається затвором. Він повинен бути ізольований від каналу. За способом ізоляції затвора ПТ діляться на три типи:

1) з керуючим р-п-переходить, або з р-п затвором;

2) з металлополупроводніковим затвором, або з затвором Шотткі;

3) з ізольованим затвором.



Попередня   29   30   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43   44   Наступна

напівпровідникові стабілітрони | варикапи | Тунельні в звернені діоди | світлодіоди | фотодіоди | Фотодіодний режим роботи | фотогальванічний режим | Основні визначення і класифікація | Режими роботи біполярних транзисторів | Схеми включення біполярних транзисторів |

© um.co.ua - учбові матеріали та реферати